这时,一直没说话的夏培肃开口道:“庞总,你的意思是,星环科技未来的发展方向是开发一种全新的互联网终端,并且依靠这种终端,支撑起一个全新的系统和指令集架构体系,并且形成生态闭环?”
庞学林笑着点了点头,说道:“没错,就是这个意思。”
夏培肃皱眉道:“如果这样的话,那段时间内,海思半导体只有投入,没有产出,你能撑多久?”
庞学林微微一笑,说道:“这个不难,华威接下来准备进军移动通信运营商业务,有很多芯片都需要从国外采购,海思半导体可以承接部分芯片比如DSP芯片,ASIC芯片,FPGA芯片等等的研发工作。另外,在消费者业务领域,我们还准备做快闪储存器以及第二代同步动态随机存取内存。”
“快闪储存?第二代同步动态随机存取内存?”
夏培肃和倪光南对视一眼,均吃了一惊。
快闪储存,指的就是闪存。
在这个时代,这两项技术都尚未完全成熟。
1984年,东芝公司的舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器的概念。
与传统电脑内存不同,闪存的特点是非易失性,其记录速度也非常快。
英特尔是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。
1988年,英特尔公司推出了一款256Kbit闪存芯片。
它如同鞋盒一样大小,并被内嵌于一个录音机里。
后来,英特尔发明的这类闪存被统称为NOR闪存。它结合EPROM(可擦除可编程只读存储器)和EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)两项技术,并拥有一个SRAM接口。
EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去,然后重新写入。
其基本单元电路(存储细胞),常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路,简称为FAMOS。
它与MOS电路相似,是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区,通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。
在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中,与四周无直接电气联接。
这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0,浮空栅极带电后(譬如负电荷),就在其下面,源极和漏极之间感应出正的导电沟道,使MOS管导通,即表示存入0。
若浮空栅极不带电,则不形成导电沟道,MOS管不导通,即存入1。
EEPROM基本存储单元电路的工作原理与EPROM相似,它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅,前者称为第一级浮空栅,后者称为第二级浮空栅。
可给第二级浮空栅引出一个电极,使第二级浮空栅极接某一电压VG。
若VG为正电压,第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应
请收藏:https://m.yzhlmcl.cc
(温馨提示:请关闭畅读或阅读模式,否则内容无法正常显示)